單項選擇題下面關(guān)于介質(zhì)對玻璃侵蝕說法錯誤的是:()
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
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1.單項選擇題玻璃退火點的粘度為:()
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
2.單項選擇題下列化學(xué)鍵中,容易形成玻璃的是:()
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
3.單項選擇題玻璃網(wǎng)絡(luò)外體的單鍵能一般小于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
4.單項選擇題下列制品中,不是利用玻璃分相或析晶等原理制造的是:()
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
5.單項選擇題玻璃配合料的均勻度一般要求大于()
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
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用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題