A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產(chǎn)品的機械強度
D、提高介電性能
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A、能提供游離氧使玻璃結(jié)構(gòu)中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%，F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%，F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.3%
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。