A.探頭頻率
B.晶片規(guī)格
C.晶片材料種類
D.超聲波速度
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A.飽和點(diǎn)
B.拐點(diǎn)
C.居里點(diǎn)
D.臨界點(diǎn)
A.K=sinβ
B.K=cosβ
C.K=ctgβ
D.K=tgβ
A.軸對(duì)稱的
B.左右對(duì)稱,上下不對(duì)稱的
C.左右對(duì)稱,上下對(duì)稱的
D.以上都不正確
A.產(chǎn)生遲到波
B.產(chǎn)生幻象波
C.改變儀器水平線性
D.改變儀器垂直線性
A.垂直線性
B.動(dòng)態(tài)范
C.靈敏度
D.以上選項(xiàng)都對(duì)
最新試題
()是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測(cè)出規(guī)定大小缺陷的能力,一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來確定。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波,沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭,缺陷回波高度降低一半時(shí),探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn),兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為()。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
底波高度法不用試塊,可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對(duì)大小,操作方便,適用于()的工件。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的()。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。
單探頭法容易檢出()。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
()是影響缺陷定量的因素。