如下圖所示電路中，設(shè)電路中V_CC＝12V，各個電容的容量足夠大，R_b1＝R_c＝R_L＝5 kΩ，R_b2＝25 kΩ，R_e＝1 kΩ，R_f＝300Ω，晶體管的β＝100，U_BE＝0.7V，r_bb’＝100Ω。
（1）估算電路靜態(tài)工作點； 
（2）畫出簡化的h參數(shù)等效電路； 
（3）計算電壓放大倍數(shù)A_u、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如下圖所示，集成運放均為理想運放，試寫出輸出電壓U_o1，U_o2，U_o的表達式。

反饋電路如下圖所示，試回答： 
⑴：該電路引入了何種反饋（極性和組態(tài)）； 
⑵：該反饋對輸入和輸出電阻有何影響（增大或減?。?br /> ⑶：在深度負反饋條件下，求電壓增益A_uf。

電路如下圖所示，已知：V_CC=20V，-V_CC=-20V，R_L=8Ω，輸入電壓，T₁和T₂的性能一致，死區(qū)影響和U_CES均可忽略。試求：輸出功率P_o，電源消耗功率P_V及能量轉(zhuǎn)換效率η，每管功耗P_T。

電路如下圖所示，R_b1=R_b2=5kΩ，R_C1=R_C2=30kΩ，R_e=20kΩ，T₁和T₂的性能一致，+V_CC=+15V，-V_EE=-15V，r_be1=r_be2=4kΩ，β₁=β₂=50；
試求：
（1）A_ud，R_id；
（2）電路改成從T₂的集電極與地之間輸出時A_ud