直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列是晶體的是（）。 

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）