改良西門子法的顯著特點不包括（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

PN結的基本特性是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。