把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列是晶體的是（）。 

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。