制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列是晶體的是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法