鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列是晶體的是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。