在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）