在通常情況下，GaN呈（）型結構。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

PN結的基本特性是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法