原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

下列是晶體的是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。