填空題原位軸壓法試驗(yàn)時，應(yīng)在上槽內(nèi)的下表面和扁式千斤頂?shù)捻斆?，?yīng)分別均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂或石膏等材料的墊層，墊層厚度可取（）mm。
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2.多項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，可按測試內(nèi)容分為下列幾類（）。
A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強(qiáng)度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強(qiáng)度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強(qiáng)度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
3.多項(xiàng)選擇題原位軸壓法適用于推定240mm厚（）的抗壓強(qiáng)度。
A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
4.多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測中調(diào)查階段應(yīng)包括下列哪些工作內(nèi)容（）。
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進(jìn)一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
5.多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測的測試設(shè)備、儀器應(yīng)按相應(yīng)（）規(guī)定進(jìn)行保養(yǎng)和校準(zhǔn)，必要時尚應(yīng)按使用頻率、檢測對象的重要性適當(dāng)增加校準(zhǔn)次數(shù)。
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題