A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進(jìn)一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
A.計算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計數(shù)
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊，普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時，在避免擾動四周的砌體；槽間砌體的承壓面應(yīng)個平整
D、多孔磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
硅片拋光在原理上不可分為（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）