A.收集被檢測(cè)工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測(cè)原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測(cè)情況
E.檢測(cè)環(huán)境
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A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號(hào)
C.產(chǎn)品說(shuō)明書
D.使用時(shí)間
A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)
A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見(jiàn)證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)
A、上水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開(kāi)槽時(shí),在避免擾動(dòng)四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。