A、C25混凝土標準試塊抗壓
B、C15混凝土標準試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試拉
D、M15水泥砂漿試塊試壓
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C、獨立磚間墻
D、磚墻上
A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格
B、一般項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格,當采用計數(shù)檢驗時,除有專門要求外,一般項目的合格點率應(yīng)達到80%及以上,且不得有嚴重缺陷
C、僅隱蔽工程驗收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗收記錄
A、施工技術(shù)標準
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗制度
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。