A、塊材強度
B、砂漿強度
C、抹灰強度
D、砌體強度
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A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點荷法和射釘法(貫入法)
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
A、一般情況下,用理論方法計算,即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
改良西門子法的顯著特點不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
PN結(jié)的基本特性是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()