A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點(diǎn)荷法和射釘法（貫入法）
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過(guò)小
D、砌體質(zhì)量問(wèn)題
A、一般情況下，用理論方法計(jì)算，即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定，然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn)，宜采用實(shí)測(cè)壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn)，宜采用實(shí)測(cè)破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
下列是晶體的是（）。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）