A、一般情況下,用理論方法計算,即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測破壞荷載值
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A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點位置
D、偏心
A、手動油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測試結(jié)果
D、保證方便
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()