A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
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A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()