單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應防止碰撞，并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿，并應伸進撬棍，應將水平灰縫撬松動，然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術指標中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
2.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
3.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結普通磚、燒結多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
4.單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
5.單項選擇題原位雙剪法當采用釋放時間上部壓應力σ的測試方案時，應掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題