單項選擇題原位單剪法所用儀器設備，在檢測前應標定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對誤差不應大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
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1.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
2.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應在自然養(yǎng)護（）后，再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
3.單項選擇題切制抗壓試件運至試驗室后，試件上下表面修理平整，頂面應用（）找平。
A.1：1水泥砂漿
B.1：2水泥砂漿
C.1：3水泥砂漿
D.1：4水泥砂漿
4.單項選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗機，其精度（示值的響度誤差）不應大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
5.單項選擇題切制抗壓試件法的測試設備，切割墻體豎向通縫的切割機，以下哪個不符合要求（）。
A.切割機的鋸切深度不應小于240mm
B.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機的鋸切深度不應小于370mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題