A.1:1水泥砂漿
B.1:2水泥砂漿
C.1:3水泥砂漿
D.1:4水泥砂漿
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A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
A.每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
下列是晶體的是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。