單項選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗機，其精度（示值的響度誤差）不應大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
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1.單項選擇題切制抗壓試件法的測試設備，切割墻體豎向通縫的切割機，以下哪個不符合要求（）。
A.切割機的鋸切深度不應小于240mm
B.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機的鋸切深度不應小于370mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
2.單項選擇題當宏觀檢測墻體的砌筑質(zhì)量差或砌筑砂漿強度等級低于（）時，不宜選用切制抗壓試件法。
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
3.單項選擇題扁頂法測試砌體受壓彈性模量時，累計加荷的應力上限不應大于槽間砌體極限抗壓強度的（）。
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
4.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測時，原位軸壓法試驗正式測試時，應分級加載，以下說法不正確的是（）。
A.每級荷載可取預估破壞荷載的10%
B.應在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C.加荷至預估破壞荷載的80%后，應按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D.加荷至預估破壞荷載的90%后，應按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
5.單項選擇題扁頂法實測墻體的受壓彈性模量時，在完成墻體的受壓工作應力測試后，當選用250³250mm扁頂時，開鑿第二水平槽普通磚砌體兩槽之間的距離應相隔（）磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
最新試題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題