單項選擇題扁頂法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測量砌體變形讀數(shù)時，應(yīng)測量（），并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
2.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
3.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
4.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題