單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時,多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
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1.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時,普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
2.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中額定壓力應(yīng)為()。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
3.單項選擇題原位軸壓法正式測試前,應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的()進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
4.單項選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細砂作為墊層,墊層厚度可?。ǎ?。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為()皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題