單項選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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1.單項選擇題原位壓力機的力值應(yīng)每（）校驗一次。
A.3個月
B.5個月
C.6個月
D.1年
2.單項選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點多于一個時，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
3.單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
4.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
5.單項選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題