單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測(cè)試部位在同一墻體上，測(cè)點(diǎn)多于一個(gè)時(shí)，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測(cè)試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
2.單項(xiàng)選擇題各類磚的取樣檢測(cè)，每一檢測(cè)單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)行磚的抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)和強(qiáng)度等級(jí)評(píng)定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
3.單項(xiàng)選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測(cè)方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
4.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測(cè)方法和在墻體上選定測(cè)點(diǎn)，（）測(cè)點(diǎn)可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
5.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法檢測(cè)普通磚和燒結(jié)多孔磚強(qiáng)度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題