A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸?shù)忍攸c，具有一定的優(yōu)越性，但采用手動加荷，加荷速度和加荷量不易控制，會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數(shù)修正，誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小，實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等，存在明顯不足，尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
最新試題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。