直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

可用作硅片的研磨材料是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列是晶體的是（）。 

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）