最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。