懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。