對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；