把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）