那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列是晶體的是（）。 

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。