與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）