對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）