一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）