多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。