MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。