A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
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A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計算與結(jié)果確定
B、按選項A處理后，當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值與中間值之差超過1%時，取中間值作為測定值
C、按選項A處理后，當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時，取中間值作為測定值
D、按選項A處理后，當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時，試驗結(jié)果無效
A、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時，取其余2個測值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測定值
B、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時，取中間值為強(qiáng)度測定值
C、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時，取中間值為強(qiáng)度測定值
D、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時，強(qiáng)度試驗結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列是晶體的是（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。