A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
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A、3個試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值與中間值之差超過1%時，取中間值作為測定值
C、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時，取中間值作為測定值
D、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時，試驗(yàn)結(jié)果無效
A、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時，取其余2個測值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測定值
B、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時，取中間值為強(qiáng)度測定值
C、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時，取中間值為強(qiáng)度測定值
D、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時，強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時間不應(yīng)少于4h
B、融化時間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時間不應(yīng)少于8h
D、融化時間不應(yīng)少于8h
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）