A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
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A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗方法
A、棱柱體抗壓強(qiáng)度試驗方法
B、立方體抗壓強(qiáng)度試驗方法
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D、圓柱體抗壓強(qiáng)度試驗方法
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列哪個不是單晶常用的晶向()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
可用作硅片的研磨材料是()