A、試件承壓面
B、試驗機壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、棱柱體劈裂抗拉強度試驗方法
B、立方體劈裂抗拉強度試驗方法
C、圓柱體劈裂抗拉強度試驗方法
D、圓球體劈裂抗拉強度試驗方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗方法
A、棱柱體抗壓強度試驗方法
B、立方體抗壓強度試驗方法
C、圓球體抗壓強度試驗方法
D、圓柱體抗壓強度試驗方法
A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結(jié)果無效。
B、把3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結(jié)果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
改良西門子法的顯著特點不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()