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最新試題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
PN結(jié)的基本特性是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()