A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
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A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、應(yīng)以3個試樣的試驗(yàn)結(jié)果來確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個試樣的測值的算術(shù)平均值來表示。
D、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時，此次試驗(yàn)無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后，拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外，應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水，可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜，并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束，以免造成擾動
D、從計(jì)時開始后60min內(nèi)，每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
PN結(jié)的基本特性是（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；