A、坍落度測(cè)量精確至1mm，坍落擴(kuò)展度測(cè)量精確至5mm
B、坍落度測(cè)量與坍落擴(kuò)展度測(cè)量均精確至1mm
C、坍落度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至1mm，坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
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A、坍落度大于220mm的砼拌合物，宜用坍落擴(kuò)展度法測(cè)定其稠度
B、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最大直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
C、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最小直徑，作為坍落擴(kuò)展度值
D、擴(kuò)展后的最大直徑與最小直徑之差超過(guò)50mm時(shí)，試驗(yàn)無(wú)效
A、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
B、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差，作為坍落度值
C、提筒后，測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差，取其平均值作為坍落度值
D、提筒后，應(yīng)在150s后測(cè)量坍落度值
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤(rùn)濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后，刮去多余的砼，并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動(dòng)擴(kuò)展
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
PN結(jié)的基本特性是（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法