A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
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A、因素分析法
B、統(tǒng)計(jì)法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計(jì)法
A、強(qiáng)度等級(jí)相同
B、強(qiáng)度試驗(yàn)齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時(shí)間應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
D、砼坍落度的取樣檢驗(yàn)頻率與砼強(qiáng)度檢驗(yàn)相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個(gè)檢驗(yàn)批量的砼原材料應(yīng)作為一個(gè)檢驗(yàn)批
B、來(lái)源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗(yàn)合格的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個(gè)檢驗(yàn)批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時(shí)施工且屬于同一工程項(xiàng)目的多個(gè)單位工程的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級(jí)的50%時(shí),方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時(shí),不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
下列是晶體的是()。