單項(xiàng)選擇題140HBW硬度標(biāo)識(shí)使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
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1.單項(xiàng)選擇題一般情況下錨具的硬度要求在哪里可以看到（）
A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
2.單項(xiàng)選擇題YJM15-7表示的是（）
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
3.單項(xiàng)選擇題受預(yù)應(yīng)力鋼材根數(shù)，孔道情況及實(shí)驗(yàn)裝置等因素的影響，考慮預(yù)應(yīng)力筋拉應(yīng)力不均勻的系數(shù)定義的是預(yù)應(yīng)力筋的（）
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
4.單項(xiàng)選擇題預(yù)應(yīng)力筋用錨具、夾具和連接器國家標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)號(hào)是（）
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
5.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中，每粉煤灰磚每（）塊為一批，不足該數(shù)量亦按一批計(jì)。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題