單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中，粉煤灰磚的公稱尺寸為（）。
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
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1.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中，粉煤灰磚的外形為（）
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
2.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊應存放（）天以上方可出廠。
A、3
B、5
C、7
D、14
3.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊型式檢驗的項目包括（）。
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、標準中技術要求的全部項目
4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊同品種、同規(guī)格、同等級的砌塊，以（）塊為一批，不足該數(shù)量亦為一批。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
5.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊抗凍性的試驗按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題